蓝宝石衬底相关论文
蓝宝石衬底广泛用作LED产品的衬底材料，其加工精度高且工序复杂，主要包括切片、倒角、研磨、退火、上蜡、铜抛、软抛、清洗环节。蓝......
为了实现氢化物气相外延（HVPE）技术在蓝宝石衬底上外延生长氮化镓（GaN）过程的全自动控制，进一步提高系统的精确性和稳定性，设计了一种新......
GaN作为第三代直接宽禁带半导体材料的代表,具有高击穿电场、高迁移率、高电子饱和漂移速率、高频、耐高温和抗辐射等优点,使其在......
“中国制造2025”明确要求“全面推行绿色制造”,实施“绿色制造工程”,到2025年基本建立绿色制造体系,并在先进电子材料等重点领......
超宽禁带半导体材料氮化铝(AlN)具有超高击穿场强、高饱和电子漂移速度、高热导率、高表面声速、高非线性光学系数等优点,可用于制......
韩国研究人员研制出了笔记本电脑大小的极紫外激光系统。该装置基于蓝宝石衬底上的领结（bow—tie）形金天线，比现有系统小而廉价，可直接......
由工信部半导体照明技术标准工作组负责制定的关于半导体照明材料、芯片技术、封装产品检测和测试方法的九项标准取得了突破性进展......
近日,南京市精传动设备制造集团有限公司与安徽省皖江示范区江北产业集中区管委会签署投资协议,该公司将斥资50亿元人民币,在安徽......
最近开展的一项国际合作项目研究小组在蓝宝石衬底上制作了一种难以置信的超高质量GaN外延层。这项制备工艺仅需要单步外延生长就......
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施......
近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图......
蓝宝石衬底具有出色的微波性能(较低的介电常数，较低的介电损耗)，极高的熔点，并且在空气中物性极其稳定，因此是比较理想的微波应用衬底......
蓝宝石作为一种综合性能优良的多功能晶体材料,有着优良的力学性能、光学性能和热学性能,同时具备较好的耐腐蚀性和抗辐射性。被广......
学位
ZnO被视为极具潜力的第三代直接宽带隙II-VI族半导体材料,在光学、电学等方面具备独特的性质,同时它的性能显著地依赖于其形貌和结......
蓝宝石由于其独特的晶格结构,以及在物理、光学、化学和力学等方面的优越性能,成为半导体领域尤其是LED领域极为重要的衬底材料。......
由于LED用蓝宝石衬底材料的加工质量直接影响器件的透光率、优品率、可靠性、综合成本和产品竞争力,目前,对其加工效率和精度的要......
随着LED产业的发展,国内对蓝宝石衬底的需求越来越大,中国已经成为蓝宝石衬底主要的需求市场。LED产业是高投资,高收益,高风险的产......
本文在经过预处理的蓝宝石衬底上,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)无掩模横向外延生长GaN薄膜。并与同样生长条件下,在未经腐蚀预......
气体传感器由于可以检测氢气、氨气等易燃易爆、有毒气体,而被广泛应用。硅纳米线是新型的一维半导体材料,在光学、电学上有其特殊......
自从在La2/3Ca1/3MnO3外延薄膜中发现庞磁电阻效应以来,钙钛矿型锰氧化物R1-xAxMnO3(R=La,Nd,Sm,Pr;A=Ca,Sr,Ba,Pb等)一直倍受人们......
到目前为止,21世纪在磁学领域最惊人且具有潜在的巨大价值的发现可能就是在像ZnO和TiO2这样的半导体或绝缘体中掺杂少量的过渡金属......
近年来，氧化锌(ZnO)成为继氮化镓(GaN)之后，受到广泛研究的宽禁带半导体材料，其在紫外发光二极管器件和激光器等方面有良好的应用前景......
本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果......
蓝宝石晶体已经成为现代工业,尤其是微电子及光电子产业极为重要的衬底材料,提高其化学机械抛光效率是业界无法回避的问题。在CMP......
2015年，LED行业的并购如火如荼。 9月12日，华灿光电（300323.SZ）发布重大资产重组方案，公司拟以10.8亿元收购云南蓝晶科技股份有限公......
尽管已有心理准备,但当宣布“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获得2015国家技术发明奖一等奖的时候,与会的南昌大学副校长......
本文研究了低温GaN(LTGaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响。用场发射扫描电镜(SEM)和原......
介绍了金刚刀切割、激光表面切割及激光隐形切割在蓝宝石衬底发光二极管芯片切割中的应用情况，对比和分析了不同切割技术的优缺点。......
阐述了蓝宝石衬底应用的发展前景及加工中存在的问题,分析了蓝宝石衬底化学机械抛光过程中pH值、压力、温度、流量、抛光布等参数......
以国际金融公司(IFC)为首的投资机构日前在北京和晶能光电(晶能光电(江西)有限公司)进行增资的签约仪式,增资总额为5550万美元.......
利用自制立式HVPE设备,在蓝宝石衬底上进行了不同载气情况下AlN的生长试验,生长温度1 000℃。在采用H2作载气情况下,由于预反应严......
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0~0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、......
针对蓝宝石衬底退火过程中所产生的“亮点”缺陷,采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对“亮点”区域的表面形貌及元素含量进行......
在低碳经济的发展中,硅酸盐材料如何面对低碳经济时代？针对几种材料的发展现状,本文阐述了建材产品：水泥、建筑陶瓷、平板玻璃等生产......
成果描述：本发明提供一种制备LED器件出光结构的方法，属于LED器件的制备技术领域。该方法具体是，在图形的蓝宝石衬底（PSS）Z生长GaN外延......
采用金属有机物化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了高质量的β-Ga2O3薄膜,并将样品分别在真空、氧气、氮气氛围下退火30 min,......
成果描述：本发明涉及一种生长高晶体质量高阻GaN外延层的方法。本发明通过在蓝宝石衬底上预沉积低温AIN并退火处理（简称为“AIN预处......
用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法在蓝宝石（0001）衬底上制备出高质量的氧化锡（SnO2）单晶薄膜。对制备薄膜的结构和光学性质进行了研究......
曾经被资本青睐的LED产业正面临着被洗牌的命运。记者获得的数据显示，产能过剩已经成为LED产业的软肋。前两年各地竞相出台的LED投......
衬底基片的化学机械抛光（CMP）同时兼顾材料去除率及衬底表面质量，在抛光过程中，化学作用与机械作用相辅相成同时参与抛光，化学作用与机......
采用脉冲激光沉积法（PLD）在具有六方纤锌矿结构的蓝宝石衬底上制备了NiO外延薄膜，研究了沉积温度、氧分压对薄膜结构和形貌的影响。在......
利用反应式磁控溅射镀膜系统在蓝宝石衬底上制备了氮化铪(HfxN)薄膜,系统研究了氮气流量fN和镀膜温度Ts对HfxN薄膜的物相组成、晶......
采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了......
会议
在简要阐述硅基与蓝宝石衬底的GaN研究与发展基础上,就此两种不同衬底上GaN-LEDs性能进行了对比分析,并对这两种衬底上的LED进行了......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料。由于氧空位和锌间隙引起的半导体的自然掺杂是n型的,这使得ZnO具有良好的透光性、高电子迁移......
在蓝宝石衬底的LED生产工艺中,对半导体设备的显微镜成像清晰程度提出了很高的要求。以国内多家LED大型生产厂商的工艺为实验蓝本,......
蓝宝石由于其性能的优越性被广泛应用于衬底材料、消费电子、军工等领域,其中用于LED芯片的衬底材料占比最大。随着LED芯片技术的......
